使用临场光罩匹配离子注入装置的性能的技术

摘要

一种使用临场光罩匹配离子注入装置的性能的技术。在一特定实施例中，在基板的一部份上执行离子注入，同时屏蔽剩余部份。再将该基板移动到第二注入器工具。随后使用该第二工具在同一基板的另一部份上执行注入，同时光罩覆盖包括第一部份在内的基板的剩余部份。在第二注入工艺之后，对在第一和第二部份上制造的半导体装置执行参数测试，以便确定这些半导体装置的一个或多个性能特征是否存在变化。如果发现变化，则建议对注入工具之一的一个或多个操作参数进行改变，以便降低制造工厂中的注入器的性能变化。

主权项

1.一种匹配半导体制造装置之间性能的方法，包括：利用一第一装置处理基板的一第一部份；将所述基板从所述第一装置移动到一第二装置；利用所述第二装置处理所述基板的所述第二部份；将所述第一和第二部份与所述相应的第一和第二装置关联；以及将所述第一部份的一个或多个属性与所述第二部份的一个或多个对应属性进行比较。