一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法

摘要

本发明公开了一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法，包括：一、在CMP设备的研磨垫(3)下方接入工作电极(1)，同时在研磨剂(4)中接入参考电极和微电极，参考电极和微电极分别与工作电极连接，CMP设备与一台处理器连接，以测量电流和电势；二、在研磨剂中加入腐蚀抑制剂，在硅片(2)上方施加压力并使硅片和研磨垫产生摩擦作用；三、跟踪处理器上实时的电流和电势的变化，来评价腐蚀抑制剂的性能；四、记录步骤三的结果，并选定合适的腐蚀抑制剂用于CMP工艺。本发明在CMP过程引入摩擦电化学技术来监控金属表面的特性变化，从而获得相应的腐蚀抑制剂的精确信息，并可据此选择合适的腐蚀抑制剂。

主权项

1、一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法，可应用于CMP设备上，所述CMP设备具有研磨垫并使用研磨剂，以处理硅片的多层金属实现其平坦化，其特征在于，包括：步骤一、在所述研磨垫下方接入至少一个工作电极，同时在所述研磨剂中接入参考电极和微电极，所述参考电极和微电极分别与所述工作电极连接，所述CMP设备与一台处理器连接，以测量电流和电势；步骤二、在所述研磨剂中加入腐蚀抑制剂，在硅片上方施加压力并使所述硅片和所述研磨垫产生摩擦作用；步骤三、跟踪所述处理器上实时的电流和电势的变化，来评价腐蚀抑制剂的性能，即：当因研磨剂氧化而使金属表面形成表面聚合物时，电流减弱而电势增加；当金属表面形成的聚合物在摩擦作用下被去除时，电流明显增大而电势会减小，多余金属被去除；步骤四、记录步骤三的结果并进行对比，将研磨作用前与研磨过程中平均电流的变化差值进行比较，差值越大则说明研磨效果越好，由此选定合适的腐蚀抑制剂用于CMP工艺。