多位非易失性存储器件的操作方法

摘要

本发明提供了多位非易失性存储器件及其操作方法和制造方法。存储器件包括形成在半导体衬底内的沟道区及与沟道区形成肖特基接触的源极和漏极。而且，中心栅极电极位于沟道区的一部分上，且第一和第二侧壁栅极电极沿着中心栅极电极的外侧形成在沟道区上。第一和第二存储节点形成在沟道区和侧壁栅极电极之间。

主权项

1.一种对多位非易失性存储器件编程的方法，该多位非易失性存储器件包括：形成在半导体衬底内的沟道区；源极和漏极，其位于所述半导体衬底的所述沟道区的每一端处，并且与所述沟道区形成肖特基接触；形成在所述沟道区的一部分上的中心栅极电极；平行于所述中心栅极电极在所述沟道区上并沿着所述中心栅极电极的外侧形成的第一和第二侧壁栅极电极；及形成在所述沟道区和所述第一侧壁栅极电极之间的第一存储节点及形成在所述沟道区和所述第二侧壁栅极电极之间的第二存储节点，其中当所述第一和第二侧壁栅极电极被设为第一和第二字线且所述源极和所述漏极接地后，编程电压选择性地提供给至少一条字线，从而在对应于所选择的字线的存储节点内存储电荷。