一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法

摘要

本发明涉及一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法：在基片上制备0.01～10000μm氧化锌牺牲层；通过光刻和刻蚀技术图形化牺牲材料，将来PZT薄膜保留的地方，牺牲层被刻蚀掉，将来PZT薄膜被剥离的地方，牺牲层被保留；在图形化后的牺牲层上制备PZT薄膜；释放牺牲层，剥离出PZT薄膜图形；该方法相对于干法刻蚀方法，设备简单、工艺过程易控制、不会对其它膜层材料造成损害；相对于湿法刻蚀方法，可大大提高图形化的质量，降低图形化难度，同时可避免强酸腐蚀液，提高图形化过程与其半导体和微电子机械系统制造工艺的兼容性。

主权项

1、一种图形化锆钛酸铅铁电薄膜的剥离制备方法，其步骤如下：1)在一基片上制备一氧化锌牺牲层；使用溶胶-凝胶法、金属有机物分解法、溅射法、金属有机化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、水热法，在清洗干净的基片上制备氧化锌牺牲层；所述基片为硅基片、蓝宝石基片、红宝石基片、石英基片、碳化硅基片、锗基片或金刚石基片；2)制备图形化后的牺牲层通过光刻和刻蚀的方法对所述牺牲层进行图形化处理，将来锆钛酸铅铁电薄膜被剥离的地方，保留牺牲层；其余牺牲层刻蚀掉；3)制备锆钛酸铅铁电薄膜层在图形化后的牺牲层上制备锆钛酸铅铁电薄膜层；所述锆钛酸铅铁电薄膜层的制备过程中，将所述基片加热至100℃～1000℃；4)图形化锆钛酸铅铁电薄膜层将上述步骤后的覆有锆钛酸铅铁电薄膜层的基片放入牺牲层腐蚀液中，腐蚀释放牺牲层，同时剥离锆钛酸铅铁电薄膜层，得到图形化后的锆钛酸铅铁电薄膜；所述腐蚀释放牺牲层的腐蚀释放温度为常温至500℃。