| 发明名称 | 含有环氧化合物和羧酸化合物的光刻用形成下层膜的组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以在半导体器件制造的光刻工艺中使用的光刻用形成下层膜的组合物、以及与光致抗蚀剂相比具有较大的干蚀刻速度的下层膜。具体来说，提供一种形成下层膜的组合物，其特征在于，含有具有至少两个环氧基的分子量为2000或其以下的化合物和具有酚性羟基、羧基、被保护的羧基或酸酐结构的高分子化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101560323A | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200910134351.0 | 申请日期 | 2004.04.01 |
| 申请人 | 日产化学工业株式会社 | 发明人 | 岸冈高广 |
| 分类号 | C08L63/00(2006.01)I;C08L101/06(2006.01)I;C08G59/40(2006.01)I;G03F7/11(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | C08L63/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田 欣 |
| 主权项 | 1.一种形成下层膜的组合物，其特征在于，含有具有至少两个环氧基的分子量为2000或其以下的化合物和具有酚性羟基、羧基、被保护的羧基或酸酐结构的高分子化合物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||