发明名称 |
N阱电位切换电路 |
摘要 |
本发明涉及一种基于N阱电位切换技术、可以连接大阻值上拉电阻且彻底消除N阱电位切换时PMOS阈值电压限制的3/5V兼容输入输出的电路,它包含N阱电位切换模块、N阱电位切换控制模块、微电流源上拉模块和低电平驱动模块;在推挽输出特性下,电路内部会提供几十微安的弱上拉能力;在开漏输出特性下,电路会自动切断内部微安级的弱上拉电流源,防止电流从外接上拉电源倒灌入电路工作电源,具备弱上拉、强下拉的较广泛适应能力。 |
申请公布号 |
CN100553143C |
申请公布日期 |
2009.10.21 |
申请号 |
CN200610148845.0 |
申请日期 |
2006.12.30 |
申请人 |
百利通电子(上海)有限公司 |
发明人 |
黄栋 |
分类号 |
H03K19/0175(2006.01)I;H03K17/00(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L29/00(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/0175(2006.01)I |
代理机构 |
上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 |
代理人 |
吴泽群 |
主权项 |
1.一种N阱电位切换电路,其特征在于:它包含N阱电位切换模块、N阱电位切换控制模块、微电流源上拉模块和低电平驱动模块,其中:a)所述N阱电位切换模块由N阱电位切换主体、第二防抖电阻、第四选通开关和第五选通开关组成;N阱电位切换主体由第一PMOS管和第二PMOS管构成,第一PMOS管的源端连接电源VDD,第二PMOS管的源端通过第二防抖电阻连接本切换电路的输出端,第一PMOS管的漏端、衬底和第二PMOS管的漏端、衬底连接在一起输出N阱电位,第一PMOS管的栅极分别与第四选通开关的一端和第五选通开关的一端相连,第二PMOS管的栅极连接到所述N阱电位切换控制模块的输出端;第四选通开关的另一端连接到所述N阱电位,选通端连接到所述N阱电位切换控制模块的输出端;第五选通开关的另一端接地,选通端连接到所述N阱电位切换控制模块的输出端;b)所述N阱电位切换控制模块由比较器和逻辑控制单元组成;比较器的一个输入端连接到芯片电源VDD,另一个输入端连接到本切换电路的输出端,比较器的输出连接到逻辑控制单元的输入端;逻辑控制单元的另一个输入端连接到本切换电路的输入端,逻辑控制单元的输出端与N阱电位切换模块中第四选通开关的选通端、第五选通开关的选通端以及第二PMOS管的栅极相连;c)所述微电流源上拉模块由镜像电流源、电流阱、第一防抖电阻、第一选通开关、第二选通开关和第三选通开关组成;镜像电流源的衬底连接到所述N阱电位;第一选通开关的一端连接到镜像电流源的偏置电平上,另一端连接到所述N阱电位,选通端连接到所述N阱电位切换控制模块中比较器的输出端;第二选通开关的一端连接到所述镜像电流源的输入端,另一端通过电流阱接地,选通端连接到所述N阱电位切换控制模块中比较器的输出端;第三选通开关的一端连接到所述镜像电流源的输出端,另一端通过第一防抖电阻连接本切换电路的输出端,选通端连接到本切换电路的输入端;d)所述低电平驱动模块是具有低电平输出能力的器件,其输入端和输出端分别与本切换电路的输入端和输出端相连。 |
地址 |
200233上海市徐汇区桂平路481号20号楼第三楼 |