半导体晶片及在集成电路芯片上形成边缘密封结构的方法

摘要

本发明公开了芯片或芯片封装的结构，具有机械上去耦但电耦合到芯片上的多层互连的最终钝化层和端子冶金。这种去耦使芯片可以经受得住在最终钝化区中的封装应力，应变从其中的去耦区和柔顺的引线消除，因此芯片上的互连层面不会感受到外部的封装或其它的应力。这种结构特别适合于由Cu和低-k的电介质构成的芯片上互连，该低-k的电介质相对于SiO₂具有更差的机械特性。去耦区在晶片上的所有芯片上延伸。它也可以延伸进封边或者切割沟槽区以允许芯片切割和在晶片上的每个芯片周围这种机械去耦特性的保持。

主权项

1.一种半导体晶片，包括：衬底；制造在所说的衬底上的多个集成电路；设置在所说的集成电路中相邻集成电路之间的切割沟槽，所说的沟槽暴露所说的集成电路的侧壁；设置在所说的集成电路的顶部表面和侧壁上的第一电介质材料层；和设置在所说的第一电介质材料层上的至少一种第二电介质材料的至少一层，其中所说的第一电介质材料具有比所说的第二电介质材料大至少10倍的临界应变能量释放速率值。