| 发明名称 | 改善热氧化膜偏薄的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善热氧化膜偏薄的方法，在卧式氧化炉内进行热氧化膜成膜，背面具有氮化硅膜的硅片在舟上的放片方式为，每两枚相邻背面具有氮化硅膜的硅片按照正面相向或背面相向的模式排列。本发明由于将背面具有氮化硅膜的硅片在舟内的放片模式设置为正面对正面或者背面对背面，从而消除了背面具有氮化硅膜的硅片在热氧化炉内成膜时因不同的背面状况而造成热氧化膜膜厚不均一的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN100552892C | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200610029072.4 | 申请日期 | 2006.07.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 沈馨如 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;C23C8/10(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1、一种改善热氧化膜偏薄的方法，在卧式氧化炉内进行热氧化膜成膜，其特征是，背面具有氮化硅膜的硅片在舟上的放片方式为，每两枚相邻背面具有氮化硅膜的硅片按照正面相向或背面相向的模式排列。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||