记忆体元件

摘要

本发明描述用于在具有多个记忆胞的电荷陷入记忆体中增大记忆体操作裕度的方法和结构，前述多个记忆胞中每一记忆胞能够储存多个位元。在本发明的第一观点，描述在单一记忆胞二位元的记忆体中增大记忆体操作裕度的第一方法，其透过施加正闸极电压＋Vg将记忆胞抹除为负电压准位来进行。或者，将负闸极电压－Vg施加到前述单一记忆胞二位元的记忆体以便将记忆胞抹除为负电压准位。增大记忆体操作裕度的第二方法是将记忆胞抹除为低于初始临界电压准位的电压准位。这两种抹除方法可在程式化步骤之前(即，预程式化抹除操作)或在程式化步骤之后(即，后程式化抹除操作)实施。

主权项

一种具有多个多位元记忆体元件的记忆体元件，前述记忆体元件具有左位元及右位元，其包括：基底；覆盖在前述基底上的底部氧化物层；覆盖前述底部氧化物的第一电荷陷入层；配置于前述第一电荷陷入层上的顶部介电结构，前述顶部介电结构具有一个或一个以上的介电层；以及覆盖前述顶部介电结构的导电层，其中前述左位元与前述右位元其中之一位于正临界电压准位，且前述左位元与前述右位元其中另一位于负临界电压准位。