| 发明名称 | 干法蚀刻方法以及硅片蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种干法蚀刻方法以及硅片蚀刻方法。该干法蚀刻方法包括：通入流量比例为75％～100％的含氟气体的工艺气，并在腔室压力为60～95mT、上射频功率为600～1200W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；通入流量比例为50％～100％的氧气的工艺气，在腔室压力为10～95mT、上射频功率为200～800W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；以及通入流量比例大于25％含硅气体和流量比例大于25％的含卤素气体的工艺气，在等离子体启辉条件下发生化学反应。该硅片蚀刻方法是，在完成述干法蚀刻方法后，将硅片送入蚀刻反应腔室，对硅片进行蚀刻。本发明提出的方法，可以保证首片硅片蚀刻的稳定性，避免“首片效应”，从而提高集成电路制造的良率和产能。 | ||
| 申请公布号 | CN101562122A | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200810104178.5 | 申请日期 | 2008.04.16 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 杨柏 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 1、一种干法蚀刻方法，其特征在于其包括以下步骤：第一步，向蚀刻反应腔室内通入包含气体流量比例为75％～100％的含氟气体的工艺气，并在腔室压力为60～95mT、上射频功率为600～1200W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；第二步，向蚀刻反应腔室内通入包含气体流量比例为50％～100％的氧气的工艺气，在腔室压力为10～95mT、上射频功率为200～800W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；以及第三步，向蚀刻反应腔室内通入气体流量比例大于25％含硅气体和流量比例大于25％的含卤素气体的工艺气，在等离子体启辉条件下发生化学反应。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 | ||