| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件中的薄膜晶体管的半导体层和电容器的第一电极是由非晶硅形成的，而且半导体层的源/漏极区的整个部分或一部分和电容器的第一电极是通过金属诱导晶化方法晶化的，半导体层的沟道区是通过金属诱导横向晶化方法晶化的。 | ||
| 申请公布号 | CN100552976C | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200510082116.5 | 申请日期 | 2005.06.29 |
| 申请人 | 三星移动显示器株式会社 | 发明人 | 朴炳建;徐晋旭;梁泰勋;李基龙 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;G09G3/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：衬底；所述衬底上的薄膜晶体管，其包括具有源/漏极区的半导体层，所述源/漏极区的区域通过金属诱导晶化方法晶化，而其沟道区通过金属诱导横向晶化方法晶化；和所述薄膜晶体管相间隔开的电容器，其包括通过金属诱导晶化方法晶化的第一电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||