| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件的制造方法，先提供基底，基底包括了高压元件区与低压元件区，且高压元件区具有源极/漏极预定区、接点预定区与沟道预定区。于基底上形成一层第一介电层。然后，移除低压元件区的第一介电层，同时，一并移除高压元件区的源极/漏极预定区、接点预定区的第一介电层。接着，于低压元件区上形成一层第二介电层，其中第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度。继而，于沟道预定区与低压元件区上分别形成栅极，而后，于源极/漏极预定区的基底中形成源极/漏极区。 | ||
| 申请公布号 | CN100552920C | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200710096512.2 | 申请日期 | 2007.04.11 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈荣庆;游纯青 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供基底，该基底包括高压元件区与低压元件区，且该高压元件区包括源极/漏极预定区、接点预定区与沟道预定区；于该基底上形成第一介电层；移除该低压元件区的该第一介电层，同时，一并移除该源极/漏极预定区、该接点预定区的该第一介电层，而留下沟道预定区的该第一介电层；至少于该低压元件区上形成第二介电层，其中该第二介电层的厚度小于该第一介电层的厚度；于该沟道预定区与该低压元件区上分别形成栅极；以及于该源极/漏极预定区的该基底中形成源极/漏极区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||