发明名称 |
磁控溅射设备和薄膜的制造方法 |
摘要 |
磁控溅射设备和薄膜的制造方法。为了通过磁控溅射形成LaB<sub>6</sub>薄膜,对靶材(11)施加直流电力和来自高频电源(193)的已滤掉低频成分的高频成分电力,并且在施加高频成分电力和直流电力期间,对基板保持件(13)施加来自另一直流电源(21)的直流电力。从而,改进了所获得的LaB<sub>6</sub>薄膜的大面积晶域方向上的单晶性。 |
申请公布号 |
CN101560644A |
申请公布日期 |
2009.10.21 |
申请号 |
CN200910135512.8 |
申请日期 |
2009.04.17 |
申请人 |
佳能安内华股份有限公司 |
发明人 |
中村昇 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
1.一种磁控溅射设备,其包括:第一室;排气装置,其用于对所述第一室的内部进行真空排气;阴极,其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材;高频电源,其用于对所述阴极施加高频电力;第一直流电源,其用于在施加所述高频电力期间对所述阴极施加直流电力;磁场生成装置,其用于使所述靶材的表面暴露于磁场;第一基板保持件,其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处;以及第二直流电源,其用于对所述第一基板保持件施加直流电力。 |
地址 |
日本神奈川县 |