发明名称 磁控溅射设备和薄膜的制造方法
摘要 磁控溅射设备和薄膜的制造方法。为了通过磁控溅射形成LaB<sub>6</sub>薄膜,对靶材(11)施加直流电力和来自高频电源(193)的已滤掉低频成分的高频成分电力,并且在施加高频成分电力和直流电力期间,对基板保持件(13)施加来自另一直流电源(21)的直流电力。从而,改进了所获得的LaB<sub>6</sub>薄膜的大面积晶域方向上的单晶性。
申请公布号 CN101560644A 申请公布日期 2009.10.21
申请号 CN200910135512.8 申请日期 2009.04.17
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 中村昇
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人 刘新宇;张会华
主权项 1.一种磁控溅射设备,其包括:第一室;排气装置,其用于对所述第一室的内部进行真空排气;阴极,其能够安装由含有硼原子和镧原子的硼-镧化合物构成的靶材;高频电源,其用于对所述阴极施加高频电力;第一直流电源,其用于在施加所述高频电力期间对所述阴极施加直流电力;磁场生成装置,其用于使所述靶材的表面暴露于磁场;第一基板保持件,其用于将基板保持在与所述阴极相对的位置处;以及第二直流电源,其用于对所述第一基板保持件施加直流电力。
地址 日本神奈川县