发明名称 |
EEPROM及其驱动方法 |
摘要 |
本发明涉及一种EEPROM(电可擦除且可编程只读存储器),具有第一MOS晶体管(2、4、5a-5c)以及第MOS晶体管(3、4、6a-6c)。第一MOS晶体管(2、4、5a-5c)以及第MOS晶体管(3、4、6a-6c)具有公共栅电极(4)且构成一个存储单元。通过利用第一MOS晶体管(2、4、5a-5c)进行编程操作和擦除操作。通过利用第MOS晶体管(3、4、6a-6c)进行读取操作。 |
申请公布号 |
CN100552960C |
申请公布日期 |
2009.10.21 |
申请号 |
CN200610154069.5 |
申请日期 |
2006.09.22 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
田中浩治 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
关兆辉;陆锦华 |
主权项 |
1.一种EEPROM,包括:P沟道MOS晶体管;和N沟道MOS晶体管,其中所述P沟道MOS晶体管和所述N沟道MOS晶体管具有公共浮置栅电极并且构成一个存储单元,其中通过利用所述N沟道MOS晶体管执行读取操作,以及其中在将0V电压施加给所述N沟道MOS晶体管的源极、漏极和背栅的情况下,电荷经由所述P沟道MOS晶体管的栅极绝缘膜注入到所述公共浮置栅电极或从所述公共浮置栅电极中引出。 |
地址 |
日本神奈川 |