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发明名称 METHOD FOR PREPARING A GERMANIUM LAYER FROM AN SILICON-GERMANIUM ON-INSULATOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 EP2109884(A1) 申请公布日期 2009.10.21
申请号 EP20080716770 申请日期 2008.02.07
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE;STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS 发明人 VINCENT, BENJAMIN;DAMLENCOURT, JEAN-FRANCOIS;MORAND, YVES
分类号 H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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