发明名称 |
双镶嵌应用中底部抗反射涂层的两步蚀刻 |
摘要 |
本发明中提供了用于从特征中去除BARC层的方法。在一个实施例中,该方法包括在蚀刻室中提供具有填充了BARC层的特征的衬底,为了蚀刻填充在特征中的BARC层的第一部分,将包含NH<sub>3</sub>气体的第一气体混合物充入到室中并且为了蚀刻布置在特征中的BARC层的残余部分,将包含O<sub>2</sub>气体的第一气体混合物充入到蚀刻室中。 |
申请公布号 |
CN100552891C |
申请公布日期 |
2009.10.21 |
申请号 |
CN200710198720.3 |
申请日期 |
2007.12.10 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
黄智林;李思义;加拉德·A·德尔加蒂诺 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
1.—种用于从形成于双镶嵌结构中的特征中去除BARC层的方法,包括:在蚀刻室中提供具有填充了BARC层的特征的衬底,其中该特征包括与限定在介电体绝缘层中的通孔相连的沟槽,其中该BARC层填充在该通孔内;为了在提供介电体绝缘层的侧壁保护的同时蚀刻填充在特征中的BARC层的第一部分,将包含NH3气体的第—气体混合物充入到室中;以及为了蚀刻布置在特征中的BARC层的残余部分,将包含O2气体的第二气体混合物充入到蚀刻室中。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |