| 发明名称 | 氮化镓半导体元件和发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种氮化镓半导体元件和发光二极管。在一基板上形成有一富含金属的氮化物薄膜，随后在富含金属的氮化物薄膜上形成有一缓冲层以及一半导体叠层；其中，富含金属的氮化物薄膜仅覆盖基板的部分上表面。通过富含金属的氮化物薄膜为非晶结构的特性，使得缓冲层外延成长方向由向上成长转变为水平成长，使缓冲层中的晶格位错亦随着外延成长方向弯曲，由此降低位错延伸至半导体叠层的几率，以提高氮化镓半导体元件的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN101562156A | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200810092628.3 | 申请日期 | 2008.04.16 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 林义杰;郭政达;许育宾;蔡吉明 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种氮化镓半导体元件，至少包含：一基板；一富含金属的氮化物薄膜，位于该基板上；一第一缓冲层，位于该富含金属的氮化物薄膜上；以及一半导体叠层，位于该缓冲层上，其中该富含金属的氮化物薄膜仅覆盖该基板的部分上表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||