快闪存储器件的制造方法

摘要

根据一实施方案，形成非易失性存储器件的方法包括通过刻蚀衬底以形成第一和第二沟道。第一和第二沟道填充有绝缘材料以形成第一和第二层隔离结构。在第一和第二隔离结构上方和第一和第二隔离结构之间形成导电层，以形成浮动栅极。刻蚀导电层和第一隔离结构形成具有上部和下部的第三沟道，所述上部具有垂直侧壁，所述下部具有倾斜侧壁。第三沟道填充有导电材料以形成控制栅极。

主权项

1.一种制造快闪存储器件的方法，包括：在半导体衬底上的预定区域处顺序形成隧道氧化膜和第一多晶硅层，并且在半导体衬底上的预定区域处形成隔离结构；在第一多晶硅层和隔离结构上方形成第二多晶硅层，并使第二多晶硅层图案化，使得第二多晶硅层与隔离结构部分交叠，其中所述隔离结构被部分刻蚀；在产生聚合物的条件下，刻蚀隔离结构至预定深度；和在隔离结构和第二多晶硅层上方形成介电层和第三多晶硅层，并使所述介电层和第三多晶硅层图案化。