发明名称 |
铁电体存储装置及其读出方法 |
摘要 |
一种铁电体存储装置,首先使字线(WL1)以及单元板线(CP1)成活性状态向第1比特线(BL1)输出存储器单元的数据,同时使开关控制信号(REQ2)、参照字线(RWL2)以及参照单元板线(RCP2)成活性状态在第2比特线(BL2)上生成参照用的电位。然后,在使开关控制信号(REQ2)以及参照字线(RWL2)成非活性状态后,使读出放大器启动信号(SAE)成活性状态。从而可以实现,在参照单元的读出动作中可以减少极化反相量、提高改写次数性能。 |
申请公布号 |
CN100552811C |
申请公布日期 |
2009.10.21 |
申请号 |
CN03178440.2 |
申请日期 |
2003.07.17 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
山冈邦吏;平野博茂;村久木康夫 |
分类号 |
G11C11/22(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/22(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种铁电体存储装置,其特征在于:包括分别由第1比特线以及第2比特线构成的多个比特线对;对所述各比特线对的电位差进行放大的多个读出放大器;多个存储器单元,这些单元分别设置在所述各比特线对中的一方上,并且每个存储器单元由保持数据的第1铁电体电容、和其源极以及漏极分别与该第1铁电体电容的第1电极以及所述第1比特线连接的晶体管所构成;多个参照单元,这些单元分别设置在所述各比特线对中的一方上,并且每个参照单元由保持数据的第2铁电体电容、和其源极以及漏极分别与该第2铁电体电容的第1电极以及所述第2比特线连接的晶体管所构成;将在所述多个存储器单元中的晶体管的栅极之间连接的字线;将在所述多个参照单元中的晶体管的栅极之间连接的参照字线;将在所述多个存储器单元中的第1铁电体电容的第2电极之间连接的单元板线;将在所述多个参照单元中的第2铁电体电容的第2电极之间连接的参照单元板线;以及控制所述存储器单元、参照单元以及读出放大器的动作的控制电路,所述控制电路,在所述读出放大器的驱动中使所述参照字线维持非活性状态。 |
地址 |
日本大阪府 |