发明名称 |
半导体结构 |
摘要 |
本发明是有关于一种半导体结构,其包括:一半导体基材;一第一高电压掺杂井区,位于该半导体基材上,具有一第一电性;一第二高电压掺杂井区,位于该半导体基材上,具有与该第一电性相反的一第二电性,并横向地邻接该第一高电压掺杂井区;一栅介电层,从该第一高电压掺杂井区上方延伸至该第二高电压掺杂井区上方;一栅极,位于该栅介电层上方;一漏极区,位于该第二高电压掺杂井区之中;一源极区,位于该栅介电层的一侧,与该漏极区反向相对;及一深掺杂p型井区,位于该第二高电压掺杂井区下方,具有该第一电性,其中该深掺杂p型井区实质上并未直接地形成在该漏极区的正下方。本发明可降低源极-漏极之间的开启状态电阻值,增进开启状态的驱动电流。 |
申请公布号 |
CN101562195A |
申请公布日期 |
2009.10.21 |
申请号 |
CN200810212304.9 |
申请日期 |
2008.09.05 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
姚智文;蒋柏煜;蔡俊琳;黄宗义 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿 宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种半导体结构,其特征在于其包括:一半导体基材;一第一高电压掺杂井区,位于该半导体基材上,且具有一第一电性;一第二高电压掺杂井区,位于该半导体基材上,且具有与该第一电性相反的一第二电性,并横向地邻接该第一高电压掺杂井区;一栅介电层,从该第一高电压掺杂井区上方延伸至该第二高电压掺杂井区上方;一栅极,位于该栅介电层上方;一漏极区,位于该第二高电压掺杂井区之中;一源极区,位于该栅介电层的一侧,且与该漏极区反向相对;以及一深掺杂p型井区,位于该第二高电压掺杂井区下方,且具有该第一电性,其中该深掺杂p型井区实质上并未直接地形成在该漏极区的正下方。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |