闪存装置的改进制造方法

摘要

于制造半导体装置的方法中，将栅极氧化层(60)设于硅基板(62)上。将第一多晶硅层(64)设于栅极氧化层(60)上，将电介质层(66)设于第一多晶硅层(64)上，和将第二多晶硅层(68)设于电介质层(66)上。于适当屏蔽后，进行蚀刻步骤，蚀刻该第二多晶硅层(68)、电介质层(66)、第一多晶硅层(64)、和栅极氧化层(60)，去除他们的部分以露出硅基板(62)，并于硅基板(62)上形成堆栈栅极结构(72)。进行短时间周期，即譬如10至20秒的快速热退火，于堆栈栅极结构(72)上生长薄的氧化物层(80)。然后，于该快速热退火所形成的氧化物层(80)上沉积另一氧化物层(82)。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于包括下列步骤：提供基板(62)；于该基板(62)上设堆栈栅极结构(72)；利用退火而于该堆栈栅极结构(72)上形成第一氧化物层(80)；以及于该第一氧化物层(80)上沉积与其接触的第二氧化物层(82)，其特征在于该第一氧化物层(80)位于该堆栈栅极结构(72)的至少各侧边，其中该第一氧化物层(80)与该第二氧化物层(82)为预先植入的氧化物层。