磁性随机存取记忆单元、阵列及编程此种记忆单元的方法

摘要

本发明是关于一种磁性随机存取记忆单元、阵列及编程此种记忆单元的方法。该磁性随机存取记忆单元，包含一第一字元线与垂直于第一字元线的一第一位元线。配置于第一字元线与第一位元线的一交叉处的是具有一垂直磁场方向的一磁性隧道连结元件。为了编程磁性随机存取记忆单元，电流穿过接近记忆单元的两个位元线以及两个字元线而被驱动。因此磁性随机存取记忆单元具有一高磁转变与低编程电流。本发明能够处理传统磁性随机存取记忆体元件的高磁场-强磁性转变点问题。而且本发明与传统磁性随机存取记忆体构造比较，可大幅降低知磁性随机存取记忆单元元件使用的编程电流。另外本发明在没有增加转变电流之下，能改良传统的磁性随机存取记忆体元件的再生性或稳定性。

主权项

1、一种磁性随机存取记忆单元，其特征在于其包括：一第一字元线；一第一位元线，垂直于该第一字元线；以及一磁性隧道连结元件，位于该第一字元线与该第一位元线的一交叉处，该磁性隧道连结元件具有一垂直磁场方向。