| 发明名称 | 一种等离子刻蚀残留物清洗液 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有羟胺及其衍生物、溶剂、水、螯合剂，其特征在于：其还含有含羧基的聚合物与含颜料亲和基团的聚合物。本发明的等离子刻蚀残留物清洗液是通过含羧基聚合物和含颜料亲和基团的聚合物复配从而根本上解决在半导体制造工艺中，传统羟胺类清洗液在湿法清洗中漂洗过程用水漂洗所导致的金属铝腐蚀问题以及免去了传统羟胺类清洗剂在清洗后为避免金属腐蚀而进行的溶剂漂洗。本发明保持了目前羟胺类清洗液较强的清洗能力，同时在对晶圆清洗后可以用水直接漂洗而且不会对金属尤其是铝造成腐蚀，可以免去原等离子刻蚀残留物去除后的溶剂漂洗过程，有利于减少污染、降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101561641A | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200810035979.0 | 申请日期 | 2008.04.14 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 刘兵;彭洪修;于昊;彭杏 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 1、一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有羟胺和/或其衍生物、溶剂、水、螯合剂，其特征在于：其还含有含羧基的聚合物与含颜料亲和基团的聚合物。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 | ||