| 发明名称 | 干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，包括如下步骤：(1)通过在非器件区增加至少一个监控结构增大开口密度；(2)采用等离子刻蚀方法监控终点。本发明通过增加监控结构，或者当刻蚀层膜质和刻蚀底层膜质相同时，通过增加不同于刻蚀材料的膜质监控结构来增加刻蚀的停止层，同时使开口密度增加到大于3％，从而使用等离子刻蚀终点检测的方法监控刻蚀终点，可以精确控制CD和残膜厚度，大幅度增加刻蚀工艺窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN101562121A | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200810043264.X | 申请日期 | 2008.04.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 吕煜坤;孙娟 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周 赤 |
| 主权项 | 1、一种干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)通过在非器件区增加至少一个监控结构增大开口密度；(2)采用等离子刻蚀方法监控终点。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||