| 发明名称 |
Process for fabricating a semiconductor device with metallic gate and semiconductor device |
| 摘要 |
<p>Für ein monolithisch integriertes Bauelement mit einem Feldeffekttransistor wird ein vorteilhafter Aufbau und ein vorteilhaftes Herstellungsverfahren für die Steuerelektrode des Feldeffekttransistors angegeben.
</p> |
| 申请公布号 |
EP1835528(A3) |
申请公布日期 |
2009.10.21 |
| 申请号 |
EP20060007759 |
申请日期 |
2006.04.13 |
| 申请人 |
UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
BEHAMMER, DAG;ILGEN, MICHAEL PETER |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/338;H01L29/423;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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