| 发明名称 | 纳米结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光电装置，其包括：设有接点区的衬底；至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须，所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的p-n结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池，其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外，本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器，其中所述光电装置适于探测辐射。 | ||
| 申请公布号 | CN101562205A | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
| 申请号 | CN200910141087.3 | 申请日期 | 2003.07.08 |
| 申请人 | 库纳诺公司 | 发明人 | 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森;约纳斯·比约恩·奥尔松 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/102(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王永建 |
| 主权项 | 1.一种光电装置，包括：设有接点区(193)的衬底；至少一个从所述接点区(193)延伸的纳米晶须(190)，所述纳米晶须(190)形成至少部分的用于光吸收的p-n结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极(196)。 | ||
| 地址 | 瑞典隆德 | ||