发明名称 | 控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法 | ||
摘要 | 控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法属于PZT薄膜制备技术领域,具体特征在于,以溶质摩尔浓度为0.14mol/L,四氢呋喃30ml,四-乙二醇二甲醚4ml,Pb为27%,Zr为55%,Ti为18%,制成总溶剂体积为0.034L的特定组分PZT的先驱体溶液。用此溶液制备的Pb<sub>0.5</sub>(Zr<sub>0.4</sub>Ti<sub>0.6</sub>)<sub>0.5</sub>O<sub>3</sub>组分PZT薄膜,衬底为1~8英寸,均匀性大于95%,厚度为1500埃。 | ||
申请公布号 | CN100552082C | 申请公布日期 | 2009.10.21 |
申请号 | CN200810103811.9 | 申请日期 | 2008.04.11 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 阮勇;谢丹;任天令;刘理天;林惠旺 |
分类号 | C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 1.控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法,其特征在于,所述配制方法依次含有如下步骤:步骤(1)设定:溶质摩尔浓度为0.14mol/L,四氢呋喃为30ml,四-乙二醇二甲醚为4ml,Pb为27%,Zr为55%,Ti为18%,按下式计算Pb、Zr、Ti的单质用量,制成的总溶剂体积为0.034L先驱体溶液:单质用量=单质元素百分比×溶质摩尔浓度×总溶剂体积×摩尔质量,其中,相当于单质用量的三种单质固态源分别为Pb(THD)2、Zr(THD)2以及Ti(O-iPr)2(THD)2,其摩尔质量依次分别为572g/mol、452g/mol以及526g/mol,得到Pb=0.735g,Zr=1.183g,Ti=0.451g;步骤(2)把步骤(1)所述三种单质固态源先分溶于四氢呋喃溶剂,再加入适量的防止热解的四-乙二醇二甲醚,配置成先驱体溶液;步骤(3)在室温下,把步骤(2)得到的先驱体溶液搅拌2~4小时,将Pb为27%,Zr为55%,Ti为18%的固体溶质充分溶解在四氢呋喃溶剂中,以便在特定衬底上制备120nm-150nm的PZT薄膜。 | ||
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