发明名称 POLARISIERUNGSVERFAHREN FÜR MOSFET-STRUKTUR MIT GERINGEM SUBSTRATEFFEKT
摘要
申请公布号 AT443373(T) 申请公布日期 2009.10.15
申请号 AT20020250156T 申请日期 2002.01.10
申请人 BROADCOM CORPORATION 发明人 GUPTA, SANDEEP KUMAR
分类号 H03F1/30;H03F3/45 主分类号 H03F1/30
代理机构 代理人
主权项
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