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发明名称 METHOD OF MANUFACTURING InAsSb SEMICONDUCTOR ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100921693(B1) 申请公布日期 2009.10.15
申请号 KR20070106577 申请日期 2007.10.23
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;H01L33/00 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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