非易失性存储器系统和编程非易失性存储器的方法

摘要

本发明揭示一种用于以较高精确度编程非易失性存储器的系统。在一个实施例中，所述系统包含：将一升压信号的一第一相位施加到一NAND串集合的一个或一个以上未选定字线；在施加所述升压信号的所述第一相位的同时，将一编程电平施加到所述NAND串的选定位线；和在施加所述升压信号的所述第一相位的同时，将一抑制电平施加到所述NAND串的未选定位线。随后，将所述升压信号的一第二相位施加到所述一个或一个以上未选定字线，且通过将所述抑制电平施加到所述选定位线来改变所述选定位线上的信号，使得与所述选定位线关联的NAND串将由所述升压信号的所述第二相位升压。将一编程电压信号施加到一选定字线以便编程连接到所述选定字线的存储元件。

主权项

1.一种编程非易失性存储器的方法，其包括：将一升压源施加到一第一非易失性存储元件；在施加所述升压源时在一第一时间周期期间阻止所述第一非易失性存储元件的升压；在施加所述升压源时在一第二时间周期期间允许所述第一非易失性存储元件的升压，使得所述第一非易失性存储元件经历升压；和当所述第一非易失性存储元件至少部分被升压时编程所述第一非易失性存储元件。