| 发明名称 | 生产有机半导体材料的方法，有机半导体材料及电子元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及有机基体材料在生产有机半导体材料中的应用，其特征在于所述有机基体材料至少部分的螺二芴化合物，并且有机基体材料的玻璃态转化温度为至少120℃并且基体材料的最高占据分子轨道(HOMO)位于5.4eV的最高能量级；本发明还涉及有机半导体材料以及电子元件。 | ||
| 申请公布号 | CN100550464C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200510089382.0 | 申请日期 | 2005.08.05 |
| 申请人 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 发明人 | 普法伊费尔·马丁;布洛赫维茨-尼莫斯·简;勒克斯·安德烈娅;萨尔别克·约瑟夫 |
| 分类号 | H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨 青;樊卫民 |
| 主权项 | 1.生产包括空穴传输层的有机半导体材料的方法，该方法包括通过汽相淀积掺合剂和有机基体材料产生空穴传输层，其中所述有机基体材料至少部分包含下式(I)和/或式(II)的螺二芴化合物：<img file="C2005100893820002C1.GIF" wi="1622" he="1678" />其中在式(I)中，R是苯基上的至少一个取代基，然而并非所有R都同时为氢，其中在式(II)中，R为除氢之外的取代基并且R’为取代基，有机基体材料的玻璃态转化温度为至少120℃并且基体材料的最高占据分子轨道(HOMO)位于5.4eV的最高能量级。 | ||
| 地址 | 德国德累斯顿 | ||