半导体元件的浅沟槽隔离层及其制作方法

摘要

本发明提供一种于沟槽中填入硅氧层的方法，首先提供一包括有多个沟槽的基底，接着提供具有一第一O₃/TEOS流量比的反应气体而进行一第一沉积工艺，以于基底表面与沟槽中全面形成一第一硅氧层。然后，提供具有一第二O₃/TEOS流量比的反应气体而进行一第二沉积工艺，以于基底表面形成一第二硅氧层，且第二O₃/TEOS流量比小于第一O₃/TEOS流量比。

主权项

1.一种于沟槽中填入硅氧层的方法，该方法包括：提供基底，该基底具有多个沟槽；提供具有第一臭氧/四乙氧基硅烷流量比的反应气体而进行第一沉积工艺，以于该基底表面与该些沟槽中全面形成第一硅氧层；以及提供具有第二臭氧/四乙氧基硅烷流量比的反应气体而进行第二沉积工艺，以于第一硅氧层之上形成第二硅氧层，且该第二臭氧/四乙氧基硅烷流量比小于该第一臭氧/四乙氧基硅烷流量比，其中该方法是在该些沟槽之中最小的沟槽被该第一硅氧层完全填满后，便停止该第一沉积工艺。