具有沟道隔离的半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，其能够通过形成弧形的沟槽上转角，防止多个深槽M的深度变得更深，从而防止降低阈电压。特别地，该方法包含下述步骤：通过在基板上依序堆叠垫氧化物层和垫氮化物层形成垫图案；通过使用垫图案作为掩膜蚀刻基板的暴露表面的工艺，形成沟槽；将用以隔离器件元件的绝缘层填入沟槽；去除垫氮化物层；执行去除垫氧化物层的预清洗工艺；选择性地在基板表面开槽，以消除在去除垫氧化物层之后所产生的多个深槽M；在基板表面上形成屏氧化物层；和使用屏氧化物层作为掩膜，将用来控制阈电压的离子注入基板。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包含下列步骤：通过在基板上依序堆叠垫氧化物层和垫氮化物层形成垫图案；通过将垫图案用作掩膜以蚀刻基板的暴露表面的工艺，形成沟槽；将用来隔离器件元件的绝缘层填入沟槽；去除垫氮化物层；进行用来去除垫氧化物层的预清洗工艺；选择性地在基板表面开槽，以消除在去除垫氧化物层后所产生的多个深槽M；在基板表面上形成屏氧化物层；和使用屏氧化物层作为掩膜，将用来控制阈电压的离子注入基板。