高频功率放大器

摘要

本发明的高频功率放大器具备对高频信号进行功率放大的第1晶体管以及向第1晶体管提供偏置电流的偏置电路。偏置电路包括：集电极端子连接于第1电源的第2晶体管；一端连接在第2晶体管的发射极端子上，另一端连接在第1晶体管的基极端子上的第1电阻元件；一端连接在第2晶体管的发射极端子上，另一端接地的第2电阻元件；设置于第2晶体管的基极端子与第2电源之间的一个以上的第3电阻元件；以及连接在第2晶体管的基极端子上，控制第2晶体管的基极电位以使电位随温度上升而下降的多个温度补偿电路。

主权项

1、一种高频功率放大器，其特征在于，具备对高频信号进行功率放大的第1晶体管，以及向所述第1晶体管提供偏置电流的偏置电路，所述偏置电路包括：集电极端子连接于第1电源的第2晶体管；第1电阻元件，其一端连接在所述第2晶体管的发射极端子上，另一端连接在所述第1晶体管的基极端子上；第2电阻元件，其一端连接在所述第2晶体管的发射极端子上，另一端接地；一个以上的第3电阻元件，设置于所述第2晶体管的基极端子与第2电源之间；以及多个温度补偿电路，连接在所述第2晶体管的基极端子上，控制所述第2晶体管的基极电位以使电位随温度上升而下降。