一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶蓝宝石支撑的准悬浮半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法，属于氮化镓衬底技术领域，该方法包括：采用紫外激光束由蓝宝石衬底处入射，照射蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜；调整激光束能量密度，使照射到GaN外延薄膜上的激光束形成能量密度不同的阵列图形；照射能量密度高的GaN外延薄膜部分与蓝宝石衬底发生无损伤剥离，照射能量密度低的GaN外延薄膜部分仍然与蓝宝石衬底连接，制得准悬浮的半导体氮化镓外延薄膜衬底。本发明制得的GaN外延薄膜衬底的力学支撑仍然由单晶蓝宝石提供，其可以有足够的力学稳定性而作为衬底使用在后继工艺中。且该准悬浮GaN薄膜衬底的外延应力小、缺陷密度少。

主权项

1、一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法，其步骤包括：1)采用紫外激光束由蓝宝石衬底处入射，照射蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜；2)调整激光束能量密度，使照射到GaN外延薄膜上的激光束形成能量密度不同的阵列图形；3)照射能量密度高的GaN外延薄膜部分与蓝宝石衬底发生无损伤剥离，照射能量密度低的GaN外延薄膜部分仍然与蓝宝石衬底连接，制得准悬浮的半导体氮化镓外延薄膜衬底。