| 发明名称 | 晶片级互连和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及晶片级互连和方法，具体而言，半导体组件包括联接到不同信号类型(40，42)的各个接触区域上的背面接触垫(15)，和通过信号类型隔离背面接触区域的绝缘体(18)。该半导体组件还包括涂覆金属(36)，该涂覆金属位于绝缘体的至少一部分之上并互相连接背面接触垫。 | ||
| 申请公布号 | CN101556975A | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200910004396.6 | 申请日期 | 2009.02.10 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | W·E·小伯迪克;J·S·埃尔鲍姆;K·R·纳加卡;S·S·托纳皮 |
| 分类号 | H01L31/05(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;曹 若 |
| 主权项 | 1.一种光伏电池组件(1)，包括：(a)光伏电池(10)，其包括联接到不同极性的接触区域的背面接触垫(15)，和通过极性隔离所述背面接触垫的绝缘体(18)；以及(b)涂覆金属(36)，其位于所述绝缘体的至少一部分之上，并互相连接所述背面接触垫。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||