发明名称 |
垂直磁记录介质和使用其的磁存储器 |
摘要 |
本发明提供一种垂直磁记录介质和使用其的磁存储器。所述垂直磁记录介质包括基板,该基板上至少顺序具有软磁层、非磁中间层、垂直记录层和保护层,其中所述垂直记录层从靠近所述基板一侧起包括第一记录层、第二记录层和第三记录层三层或更多层,所述第一记录层和所述第二记录层具有颗粒结构,包括围绕包含Co和Pt的铁磁晶粒的氧化物晶粒边界,所述第三记录层具有非颗粒结构,主要包括Co且不包含氧化物,所述第一记录层的晶粒边界含有Si,Cr和氧,以及选自Ti、Ta和Nb中的至少一种元素,所述第二记录层的晶粒边界包含Cr和氧,或者包含Cr和氧,以及选自Si、W和V中的至少一种元素。 |
申请公布号 |
CN101556803A |
申请公布日期 |
2009.10.14 |
申请号 |
CN200910133880.9 |
申请日期 |
2009.04.08 |
申请人 |
日立环球储存科技荷兰有限公司 |
发明人 |
玉井一郎;棚桥究 |
分类号 |
G11B5/667(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/667(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李昕巍 |
主权项 |
1.一种垂直磁记录介质,包括基板,该基板上至少顺序具有软磁层、非磁中间层、垂直记录层和保护层,其中所述垂直记录层从靠近所述基板一侧起包括三层或更多层的第一记录层、第二记录层和第三记录层,所述第一记录层和所述第二记录层具有颗粒结构,其包括围绕包含Co和Pt的铁磁晶粒的氧化物晶粒边界,所述第三记录层具有非颗粒结构,主要包括Co且不包含氧化物,所述第一记录层的晶粒边界含有Si,Cr和氧以及选自Ti、Ta和Nb中的至少一种元素,所述第二记录层的晶粒边界包含Cr和氧,或者包含Cr和氧以及选自Si、W和V中的至少一种元素。 |
地址 |
荷兰阿姆斯特丹 |