制造非易失性存储器件的方法

摘要

一种制造非易失性存储器件的方法，包括在半导体衬底上形成隧道层和导电层，并且图案化所述导电层、所述隧道层和所述半导体衬底以在半导体衬底中形成导电图案、隧道图案和沟槽。所述方法还包括用绝缘材料填充所述沟槽，并且暴露所述导电图案的部分侧壁。所述方法还包括在向内的方向上使导电图案的暴露的部分侧壁凹陷以形成浮置栅极。浮置栅极包括基底部分和宽度小于基底部分的宽度的突出部分。所述方法还包括蚀刻绝缘层以形成暴露出浮置栅极的基底部分的隔离层。此外，所述方法包括形成沿浮置栅极的基底和突出部分延伸的介电层以及覆盖浮置栅极的基底和突出部分的控制栅极。

主权项

1.一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成隧道层和导电层；对所述导电层、所述隧道层和所述衬底均进行图案化，以在所述衬底中形成导电图案、隧道图案和沟槽；用绝缘层填充所述沟槽；暴露所述导电图案的部分侧壁；在向内的方向上使所述导电图案的所述暴露的部分侧壁凹陷，以形成包括基底部分和突出部分的浮置栅极，所述突出部分的宽度小于所述基底部分的宽度；蚀刻所述绝缘层以形成暴露出所述浮置栅极的所述基底部分的隔离层；形成沿所述浮置栅极的所述基底和所述突出部分延伸的介电层；和形成覆盖所述浮置栅极的所述基底和所述突出部分的控制栅极。