硅点形成方法及装置以及带硅点和绝缘膜的基板的形成方法及装置

摘要

在较低的温度下，抑制硅点的缺陷产生和聚集，抑制等离子体损伤，在粒径的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点。在较低的温度下，在硅点粒径的控制性和绝缘膜厚度的控制性良好、基板间的再现性良好的状态下形成硅点和绝缘膜。通过低电感内部天线12(22)由硅点形成用气体或绝缘膜形成用气体生成电感耦合等离子体，基于该电感耦合等离子体在基板S上形成硅点SiD(绝缘膜F)，且在等离子体处于不稳定状态期间将基板S置于不暴露于不稳定等离子体的状态，等离子体稳定后，使基板S暴露于稳定化等离子体而开始形成硅点或绝缘膜的硅点形成方法及装置1(带硅点和绝缘膜的基板的形成方法及装置A)。

主权项

1.硅点形成方法，它是向设置于第一等离子体生成室内的经低电感化的第一天线施加高频电力，由被供给至所述室内的硅点形成用气体生成电感耦合等离子体，基于所述电感耦合等离子体在配置于所述室内的基板上形成硅点的硅点形成方法，其特征在于，在形成硅点时，所述第一等离子体生成室内生成的等离子体处于不稳定状态期间，将所述基板置于不暴露于所述不稳定等离子体的状态，所述等离子体稳定后，使所述基板暴露于所述稳定化等离子体而开始在所述基板上形成硅点。