功率半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括一N型衬底；一形成在该N型衬底上方的N型外延区域，一形成在该N型衬底下方的第二金属层；一形成于该N型外延区域上方的P阱区域；一形成于该P阱区域上的源区；多个穿过该P阱区域、该源区和该N型外延区域接触的栅极；依次位于源区上的一第一绝缘层、一第一金属层和一第二绝缘层；多个穿过该第一绝缘层的接触孔，该第一金属层通过该些接触孔和该P阱区域、源区接触。该功率半导体器件及其制造方法使高密度的实现成为可能，从而能降低导通电阻这一重要的功率器件的参数，减小了沟槽栅极和源区接触之间的距离形成的光刻套准公差。

主权项

1、一种功率半导体器件，其特征在于，其包括：一N型衬底；一形成在该N型衬底上方的N型外延区域，一形成在该N型衬底下方的第二金属层；一形成于该N型外延区域上方的P阱区域；一形成于该P阱区域上的源区；多个穿过该P阱区域、该源区和该N型外延区域接触的栅极；依次位于源区上的一第一绝缘层、一第一金属层和一第二绝缘层；多个穿过该第一绝缘层的接触孔，该第一金属层通过该些接触孔和该P阱区域、源区接触。