| 发明名称 | 瞬态电压抑制器二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种瞬态电压抑制器二极管及其制造方法，该瞬态电压抑制器二极管包括一第一控向二极管、一第二控向二极管和一齐纳二极管，该第一控向二极管、该第二控向二极管和该齐纳二极管并联连接，该第一控向二极管和该第二控向二极管之间设有一输入/输出接口，该第一控向二极管和该齐纳二极管之间设有一电压信号线。该瞬态电压抑制器二极管具有超低电容值，且性能稳定，可实现大规模生产的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN101557103A | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200810035948.5 | 申请日期 | 2008.04.11 |
| 申请人 | 上海韦尔半导体股份有限公司 | 发明人 | 纪刚;倪凯彬;顾建平 |
| 分类号 | H02H9/04(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 薛 琦;朱水平 |
| 主权项 | 1、一种瞬态电压抑制器二极管，其特征在于，其包括一第一控向二极管、一第二控向二极管和一齐纳二极管，该第一控向二极管、该第二控向二极管和该齐纳二极管并联连接，该第一控向二极管和该第二控向二极管之间设有一输入/输出接口，该第一控向二极管和该齐纳二极管之间设有一电压信号线。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区碧波路500号301室 | ||