用于输入输出位置的共用球型限制冶金及其形成方法

摘要

本发明描述一种方法，用于形成共用输入输出(I/O)位置，其适用于引线接合及焊料凸块倒装芯片连接，诸如控制塌陷芯片连接(C4)。本发明特别适于以铜当作互联材料的半导体芯片，其中在制造此芯片时使用的软电介质由于接合力而易损害。通过在垫座顶表面上提供具有贵金属的位置(26)，且提供一扩散阻挡(22)，以维持金属互联的高导电性，本发明使损害的危险减少。通过提供一种用于在基片(20)中所形成的特征中选择性淀积金属层之方法，使得在基片(20)中形成输入输出位置的工艺步骤减少。因为本发明的输入输出位置可以用于引线接合或焊料凸块连接，此使得芯片互联选择的灵活性增加，且也减少工艺的成本。

主权项

1.一种输入输出结构，其在一形成于基片(20)中的特征(21)中，基片(20)具有一顶表面，该构造(21)具有构造侧壁及一构造底部，构造底部形成于一导电材料(27)上方，该结构包括：一覆盖构造侧壁与构造底部的阻挡层(22)，阻挡层(22)具有一阻挡底部与阻挡侧壁；一具有一籽晶底部与籽晶侧壁的金属籽晶层(23)，其至少覆盖所述阻挡底部；及一第一金属层(24)，其完全覆盖所述籽晶层的所有表面，使得所述籽晶层由所述阻挡层并由所述第一金属层完全包围，并且其中所述第一金属层具有一形成于其中的凹部，以致于所述第一金属层(24)的顶表面低于基片(20)的顶表面，其中所述第一金属层(24)包括选自由铜、铂、镍、金、银和焊料组成的组；及一覆盖所述第一金属层(24)的第二金属层(26)，所述第二金属层(26)由一贵金属组成。