灰化方法与灰化装置

摘要

提供了对晶片上露出的多孔质低K膜能防止膜质劣化，可从晶片上可靠地除去抗蚀剂的灰化方法与灰化装置。本发明的灰化装置是将气体导入介电体等离子体发生室(14)内，激励该气体以生成等离子体，而由此气体的等离子体对采用低K膜的被处理对象物S进行等离子体处理的灰化装置，它构成为从气体控制部(20)导入的灰化气体是加有H₂的惰性气体，生成这种混合气体的等离子体，而由所产生的氢基来除去抗蚀剂。

主权项

1.一种灰化方法，此方法是将气体导入至少一部分为介电体形成的等离子体发生室中，激励此气体而生成等离子体，由此等离子体对采用低K膜的被处理对象物进行等离子体处理，其特征在于包括步骤：对上述等离子体发生室引入添加了H2的惰性气体；在上述添加有H2的惰性气体中添加H2O，激励此惰性气体生成等离子体，由所发生的氢基除去上述被处理物上的抗蚀剂。