| 发明名称 | 具有球型凹陷沟道的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供具有球型凹陷区的衬底，在所述球型凹陷区和衬底上形成栅极绝缘层，和在所述栅极绝缘层上形成栅极导电层。所述栅极导电层填充所述球型凹陷区。所述栅极导电层包含两个或更多的导电层以及所述导电层之间的不连续的界面。 | ||
| 申请公布号 | CN100550307C | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200710161536.1 | 申请日期 | 2007.09.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金龙水;梁洪善;张世亿;皮升浩;洪权;赵兴在;林宽容;成敏圭;李升龙;金泰润 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有球型凹陷区的衬底；在所述球型凹陷区和所述衬底上形成栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上形成硅层并填充所述球型凹陷区，其中所述硅层包括两个或更多的层和所述两个或更多的层之间的不连续的界面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||