具有npn和pnp双极晶体管的集成电路装置及相应的制造方法

摘要

在各种情况下公开了一种集成电路装置(100)，其包括npn晶体管(102)和pnp晶体管(104)。在pnp晶体管包括确定pnp晶体管的发射极连接区(120)的宽度的断层(142)且连接区(120)的导电材料与该断层(142)横向重叠时，则制造出具有显著电性能的晶体管。

主权项

1、一种集成电路装置(100)，具有至少一个垂直npn晶体管(104)，该npn晶体管以如下顺序以彼此邻接的方式包括n-掺杂发射区(186)、p-掺杂基区(184)和n-掺杂集电区(182)，具有至少一个垂直pnp晶体管(102)，该pnp晶体管以如下顺序以彼此邻接的方式包括p-掺杂发射区(118)、n-掺杂基区(116)和p-掺杂集电区(114)，具有实现电绝缘的绝缘层(140)，该绝缘层(140)布置在单晶半导体材料和隔离区域上，并且在垂直pnp晶体管(102)区域中包括：至少第一断层(142)，在该第一断层下面布置垂直pnp晶体管(102)的基区(116)并在该第一断层中布置发射极连接区(120)的导电材料，该导电材料导电连接到垂直pnp晶体管(102)的发射区(118)；该绝缘层在垂直npn晶体管(104)区域中包括：包括垂直npn晶体管(104)的基区(184)的第二断层(200)，该第一断层(142)确定垂直pnp晶体管(102)的发射极连接区(120)和发射区(118)之间的电接触宽度和该第一断层(142)邻接于发射极连接区(120)，和发射极连接区(120)的导电材料还与绝缘层(140)重叠，和/或与该第一断层(142)外侧的绝缘层邻接。