非易失存储元件及其制造方法

摘要

非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的位线14以及包含相变材料并且连接在下电极12和位线14之间的记录层15。根据本发明，位线14与记录层15的初始生长表面15a接触。该结构可以通过在记录层15之前形成位线14来得到，得到三维结构。这样减小了记录层15和位线14之间的接触面积，减少了向位线14的热扩散而不增加记录层15的厚度。此外，利用该三维结构，在位线14和记录层15之间不存在上电极，降低了制造工艺的复杂性。

主权项

1.一种非易失存储元件，包括：下电极；设置在下电极上的位线；和记录层，所述记录层包含布置在层间绝缘层中的孔中并且连接在下电极和位线之间的相变材料，所述记录层具有接触下电极的下表面、与下表面相对的上表面以及面对所述孔的内壁的侧表面；并且其中位线在物理上与记录层的侧表面和下表面中的至少一个直接接触。