| 发明名称 | 在半导体基底上形成氮化钛层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在半导体基底上形成氮化钛层的方法，包括以下步骤：提供一半导体基底；对所述半导体基底进行预加热；将所述半导体基底移入反应腔，在所述半导体基底上淀积氮化钛层。该方法在没有增加制造成本和制程难度的前提下，利用反应腔对半导体基底进行预加热，从而使淀积到半导体基底上的氮化钛层具有良好稳定的低电阻，并且适用于工业上的批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101556926A | 申请公布日期 | 2009.10.14 |
| 申请号 | CN200910051562.8 | 申请日期 | 2009.05.19 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孔令芬;李春雷 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/44(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 郑 玮 |
| 主权项 | 1.一种在半导体基底上形成氮化钛层的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体基底；对所述半导体基底进行预加热；将所述半导体基底移入反应腔，在所述半导体基底上淀积氮化钛层。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||