垂直晶体管的制造方法

摘要

本发明提供了一种制作垂直晶体管的结构和方法。本发明的结构包含：其上形成有绝缘层的衬底和形成在其中的沟槽，此沟槽具有通过绝缘层延伸到衬底上表面的上部沟槽区，并具有从上部衬底表面延伸到衬底中的下部沟槽区；形成在上部沟槽侧壁附近的半导体层；形成在半导体层中的上部端子区和下部端子区，其中，沟道区将上部端子区与下部端子区分隔开；从上部端子区延伸到下部端子区并与沟道区接触的栅绝缘体；以及形成在栅绝缘体上的栅导体，此栅绝缘体将栅导体隔离于沟道区。

主权项

1.一种制作垂直晶体管的方法，它包含下列步骤：提供其上形成有绝缘层的衬底；在所述绝缘层中形成上部沟槽区；在至少一个所述上部沟槽区侧壁附近形成牺牲间隔；在所述衬底中形成下部沟槽区，其中，所述上部沟槽区与下部沟槽区对准，并构成一个沟槽；在至少一个所述上部沟槽区侧壁附近从所述衬底生长外延半导体区；在所述外延半导体区的下部中形成下部端子区；在所述外延半导体区的沟道区附近形成栅绝缘体；在所述栅绝缘体上形成栅导体；以及在所述外延半导体区的上部中形成上部端子区。