制造集成电路器件的方法及由此形成的器件

摘要

形成集成电路器件的方法包括在半导体衬底上形成具有不同电阻率的构图层。这些方法包括在半导体衬底的第一和第二部分上形成具有第一电阻率的第一导电层。半导体衬底的第一部分可以包括衬底的存储单元阵列部分，以及半导体衬底的第二部分可以包括衬底的外围电路区，外围电路区延伸邻近存储单元阵列部分。构图第一导电层，以在衬底的第一部分上限定上电容器电极，以及在衬底的第二部分上限定电阻性图形。然后在衬底的第三部分和在电阻性图形上形成第二导电层。构图第二导电层，以在衬底的第三部分上限定第一电阻器图形和在电阻性图形上限定构图的电阻器帽盖。

主权项

1.一种形成集成电路器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底的第一和第二部分上形成具有第一电阻率的第一导电层；刻蚀第一导电层，以在衬底的第一部分上限定上电容器电极，以及在衬底的第二部分上限定电阻性图形；在衬底的第三部分上和在电阻性图形上形成具有第二电阻率的第二导电层，第二电阻率大于第一电阻率，其中第三部分位于第一部分和第二部分之间；以及刻蚀第二导电层，以在衬底的第三部分上限定第一电阻率图形以及在电阻性图形上限定构图的电阻器帽盖。