发明名称 半导体传感器装置、包括这种装置的诊断仪器以及制造这种装置的方法
摘要 用于感测物质(30)的半导体传感器装置(10),包括在半导体主体(12)的表面上形成的台面形状的半导体区(11,11’),而包括要被感测的物质(30)的流体(20)能够沿着台面形状的半导体区(11)流动,其中台面形状的半导体区(11)在纵向方向上观看时相继地包括第一半导体子区(1)、第二半导体子区(2)和第三子区(3),该第一半导体子区包括第一半导体材料,该第二半导体子区包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料,该第三子区包括与第二半导体材料不同的第三半导体材料。根据本发明,第一和第三半导体材料包括光学钝态材料而第二半导体材料包括光学活性材料,要被感测的物质(30)能够改变来自第二子区(2)的电磁辐射(E)的特性并且半导体传感器装置(10)形成为使得其特性已被改变的电磁辐射(E)能够到达检测器(50)。根据本发明的传感器装置(10)能够很灵敏、相对紧凑且易于制造。该辐射(E)能够来自外部源(40)或者能够在装置(10)中生成。
申请公布号 CN101558290A 申请公布日期 2009.10.14
申请号 CN200780045234.6 申请日期 2007.12.06
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 N·N·卡亚;E·P·A·M·巴克斯;T·斯特芬;L·M·博格斯特伦
分类号 G01N21/47(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;G01N33/551(2006.01)I;G01N33/552(2006.01)I 主分类号 G01N21/47(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 龚海军;刘 红
主权项 1.用于感测物质(30)的半导体传感器装置(10),包括在半导体主体(12)的表面上形成的台面形状的半导体区(11,11’),而包括要被感测的物质(30)的流体(20)能够沿着台面形状的半导体区(11)流动,其中在纵向方向上观看时台面形状的半导体区(11)相继地包括第一半导体子区(1)、第二半导体子区(2)和第三子区(3),该第一半导体子区包括第一半导体材料,该第二半导体子区包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料,该第三子区包括与第二半导体材料不同的第三半导体材料,其特征在于,第一和第三半导体材料包括光学钝态材料而第二半导体材料包括光学活性材料,要被感测的物质(30)能够改变来自第二子区(2)的电磁辐射(E)的特性并且半导体传感器装置(10)形成为使得其特性已被改变的电磁辐射(E)能够到达检测器(50)。
地址 荷兰艾恩德霍芬